BD139-10STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]

Поставка электронных компонентов в Пермь

15,00 руб.

Артикул: 1123315 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Пермь уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	15,00руб.	13,95руб.	13,50руб.	13,20руб.	12,30руб.	12,00руб.	11,70руб.	10,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	27,15руб.	24,90руб.	24,45руб.	23,85руб.	22,20руб.	21,75руб.	21,15руб.	19,05руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	35,10руб.	32,40руб.	31,65руб.	30,90руб.	28,80руб.	28,05руб.	27,45руб.	24,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	18,00руб.	16,50руб.	16,20руб.	15,75руб.	14,70руб.	14,40руб.	13,95руб.	12,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	34,65руб.	31,95руб.	31,20руб.	30,45руб.	29,55руб.	28,50руб.	27,00руб.	24,30руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BD139-10STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]The BD13910STU is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.

• -55 to 150 C Operating temperature range

Дополнительная информация

Корпус	to126
Структура	npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	63
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	8