301

BD139-10STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]

Поставка электронных компонентов в Пермь

15,00 руб.

x 15,00 = 15,00
Сроки поставки выбранного компонента в Пермь уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней15,00руб.13,95руб.13,50руб.13,20руб.12,30руб.12,00руб.11,70руб.10,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней27,15руб.24,90руб.24,45руб.23,85руб.22,20руб.21,75руб.21,15руб.19,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней35,10руб.32,40руб.31,65руб.30,90руб.28,80руб.28,05руб.27,45руб.24,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней18,00руб.16,50руб.16,20руб.15,75руб.14,70руб.14,40руб.13,95руб.12,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней34,65руб.31,95руб.31,20руб.30,45руб.29,55руб.28,50руб.27,00руб.24,30руб.

Характеристики

BD139-10STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]The BD13910STU is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.

• -55 to 150 C Operating temperature range

Дополнительная информация

Корпус

to126

Структура

npn

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

63

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

8